功能描述：MOSFET N-CH 80V MLFPAK

制造商：nexperia usa inc.

系列：汽车级，AEC-Q101，TrenchMOS?

包装：剪切带（CT）

零件状态：在售

FET 类型：N 沟道

技术：MOSFET（金属氧化物）

漏源电压（Vdss）：80V

电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时）：37A（Tc）

驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）：10V

不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）：4V @ 1mA

不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值）：23.9nC @ 10V

Vgs（最大值）：±20V

不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值）：1643pF @ 25V

FET 功能：-

功率耗散（最大值）：75W（Tc）

不同?Id，Vgs 时的?Rds On（最大值）：22 毫欧 @ 10A，10V

工作温度：-55°C ~ 175°C（TJ）

安装类型：表面贴装

供应商器件封装：LFPAK33

封装/外壳：SOT-1210，8-LFPAK33（5 根引线）

标准包装：1

BUK7R3-75C

BUK7Y07-30B

BUK7Y07-30B,115

BUK7Y08-40B

BUK7Y08-40B,115

BUK7Y08-40B/C

BUK7Y08-40B/C,115

BUK7Y102-100B

BUK7Y102-100B,115

BUK7Y10-30B